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赵佶;
功率晶体管 GaN TriQuint 氮化镓 射频功率 工作频率 输出功率 宽带系统 商业通信 VS;
机译:英飞凌德国公司拥有两种产品,包括用于400V耐D类放大器的GaN功率晶体管
机译:与开关模式RF CMOS功率放大器的效率有关的功率晶体管尺寸的研究
机译:在开关CMOS RF放大器中优化驱动器和功率晶体管的尺寸
机译:使用新型PBG结构的功率放大器设计可改善线性度并减小尺寸
机译:通过减小尺寸到纳米尺度,新型窄间隙半导体相的稳定化
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:KU频段50-W GaN HEMT内部匹配功率放大器
机译:0.15微米氮化镓(GaN)微波集成电路设计提交给TriQuint半导体进行制造。
机译:放大器具有水冷辐射结构,使车辆能够减小整个放大器的尺寸和重量并保证效率
机译:用于使客车的内燃机旋转的转向装置,即引爆器,具有封闭盖,该封闭盖的肩部的两个部分的尺寸减小,从而在减小肩部的第三部分的盖的尺寸的同时减小轴向力的施加
机译:制造GaN单晶基体以减小热膨胀系数之间的差异而减小应力产生的方法是通过减小GaN单晶基体与GaN单晶基体之间的接触面积来实现的
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