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新型GaN HEMT功率放大器设计与仿真

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第一章 绪论

1.1研究背景

1.2国内外研究现状

1.3本文内容安排

第二章 功率放大器对晶体管的依赖性研究

2.1功率器件的横向比较

2.2 GaN HEMT的纵向分析

2.3 GaN HEMT器件参数对效率的影响

2.4功率器件的选择

2.5本章小结

第三章 高能效功率放大器匹配网络设计

3.1功率放大器类型选择

3.2直流参数扫描

3.3负载牵引确定晶体管最佳阻抗

3.4匹配网络的设计

3.5功率合成结构设计

3.6本章小结

第四章 高能效功率放大器的设计实现与测试

4.1匹配网络的设计实现

4.2功率放大器的联合仿真

4.3功率放大器的加工与测试

4.4本章小结

第五章 总结与展望

5.1论文工作总结

5.2研究展望

参考文献

致谢

作者简介

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著录项

  • 作者

    赵玥阳;

  • 作者单位

    西安电子科技大学;

  • 授予单位 西安电子科技大学;
  • 学科 集成电路工程
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 贾护军,蒙燕强;
  • 年度 2019
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 中文
  • 中图分类 半导体技术 ; 晶体生长 ;
  • 关键词

    HEMT; GaN; 功率放大器;

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