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不同熔体配比的InP分析研究

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原位磷注入合成ＬＥＣ晶体生长法可分别合成得到富铟、近化学配比或富磷的ＩｎＰ熔体，并进行ＬＥＣ晶体生长。我们对不同配比程度的材料进行了ＦＴ ＩＲ、ＰＬ、变温Ｈａｌｌ等测试工作，得到了一些相当有意义的结果，对研究非掺杂半绝缘Ｉｎ

著录项

来源
《微纳电子技术》 |1999年第4期|41-46|共7页
作者
孙聂枫; 陈旭东; 杨光耀; 赵有文; 谢德良; 刘二海; 刘思林; 孙同年;
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作者单位

电子十三所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
原位磷注入合成; InP晶体; 液封直拉法;

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