采用WLCSP技术的高性能、低成本MMIC

摘要

正据《信学技报》（日）2010年109-361期报道,日本住友电工采用圆片级芯片尺寸封装（WLCSP）技术,在GaAs衬底上形成PHEMT有源层,并在其上面设置4层OA-OD布线层构成三维MMIC。AlGaAs/GaAs 0.1μm栅PHEMT的性能,f_T为85GHz,f_max为200 GHz。12 GHz下的NF_min为0.5 dB。该MMIC集成了LO放大器和低噪声放大器,MMIC尺寸为2.4 mm×2.4 mm。上变频器和下