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位置敏感日盲深紫外光电探测器

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超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)的带隙约为4.9 eV,是理想的日盲深紫外光电探测材料.最近,研究者利用β-Ga_(2)O_(3)薄膜,成功研制了四象限结构位置敏感日盲深紫外光电探测器.该研究为Ga_(2)O_(3)在深紫外光、X射线定位或成像等领域的实际应用提供了思路.

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来源
《中国科学》|2021年第2期|P.155-156|共2页
作者
廖梅勇;
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作者单位

日本国立材料研究所功能材料研究中心筑波市305-0044 日本;

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正文语种 chi
中图分类中国工业经济;
关键词
光电导; 超宽禁带半导体; 位置敏感探测器;

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