金刚石材料的场发射理论

摘要

金刚石、类金刚石以及一些新型半导体薄膜,由于其具有良好的高温、高频、大功率半导体性能,而且其宽带隙可能导致负的电子亲和势,有利于降低场发射阈值电压及增大场发射电流,为场发射器件的实用化提供了一条可行的途径.因为半导体的电子输运的特殊性,场发射理论的建立极为不易,所以其场发射理论大都沿用金属的F-N理论.但是在实际研究中我们发现F-N理论中的某些性质在半导体场发射中并不适用.