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Ce:Cu:LiNbO3晶体抗光致散射性能研究

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用提拉法从熔体生长出来了Ce(O.09%),cu(0.01%)LiNbO3(Ce:Cu:LiNbO3)晶体,切割后分别对其中两块晶体进行氧化和还原处理,对晶体的抗光致散射能力和衍射效率测试表明,晶体的抗光致散射能力和衍射效率与氧化、还原处理条件有密切关系,其对晶体进行大容量体全息存储起重要作用.

著录项

来源
《科技信息》 |2007年第7期|94,18|共2页
作者
杨飞; 黄金哲;
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作者单位

哈尔滨理工大学应用科学学院,黑龙江,哈尔滨,150080;

哈尔滨理工大学应用科学学院,黑龙江,哈尔滨,150080;

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正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
铌酸锂晶体; 抗光致散射; 衍射效率; 体全息;

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