电磁波对CMOS反相器扰乱作用的仿真分析

摘要

介绍了FDTD-PSPICE法进行场-路计算的基本方法和优势,利用该方法仿真计算了强电磁脉冲辐照对CMOS反相器逻辑电平的扰乱作用,发现强电磁脉冲可致使CMOS反相器的逻辑电平发生畸变或发生翻转,并比较了不同频率、不同强度电磁脉冲对CMOS电路的扰乱效果,结果表明,CMOS电路对特定频率的电磁波具有更高的敏感性.