二硅化钼发热元件的热弯研究

摘要

研究了烧结温度对MoSi2发热元件性能的影响,使用SEM观察了各种烧结温度试样的微观组织、氧化层厚度及高温弯曲试样的表面形貌,测定了各种温度烧结试样的氧化动力学曲线、电阻率及抗弯强度.结果表明,高温烧结的MoSi2可进行热态弯曲成形,表面没有发现裂纹,试样中的气孔已明显球化,氧化层厚度明显小于低温烧结试样的.高温烧结试样的电阻率较低,抗弯强度较高,烧损温度达到1 750℃.