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刘玉岭; 金杰; 徐晓辉;
Silicon; CVD; Epitaxy; Auto; doping;
机译:在没有衬底加热的情况下通过等离子CVD在Ge(100)上外延生长的高应变Si上热CVD B掺杂Si膜的电学特性
机译:在a-Si / H CVD条件下SiH_2 + Si_2H _6和SiH_3 + Si_2H_5反应的从头算化学动力学以及Si_3H_8的相关单分子分解
机译:在超净低压CVD中,PH_3和Si_2H_6在应变的Si_(1-x)Ge_x / Si(1 0 0)上交替发生表面反应,从而使P原子层掺杂的Si膜外延生长
机译:硅烷和三甲基硅烷作为Si 1·Yα的RP-CVD生长的前体,SI(001)上的rp-cvd生长
机译:基于樟脑的CVD双层石墨烯/ SI异质结构用于自动和宽带光电检测
机译:a mEms-Based Flow Rate and Flow Direction sensing platform with Integrated Temperature Compensation scheme
机译:CVD晶体si3N4 /非晶si3N4复合材料的断裂行为。
机译:Si 1-XY Sub> GE X Sub> C Y Sub>和Si 1-Y Sub> C 的外延和多晶生长通过UHV-CVD在Si上形成Y Sub>合金层
机译:利用UHV-CVD法在SI上形成Si1-X-Yygycy和Si1-Ycy合金层的表观和多晶生长
机译:Si 1-xy Sub> Ge x Sub> C y Sub>和Si 1-y Sub> C 的外延和多晶生长UHV-CVD在Si上形成y Sub>合金层
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