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功率放大器; 电阻场效应管; MOS-FET;
机译:790V /1.7mΩcm的超低损耗{sup} 2!支持下一代功率半导体:实现高耐压和低导通电阻的SiC
机译:具有低迁移率双漂移层的超低导通电压和导通电阻垂直GaN-on-GaN肖特基功率二极管
机译:制作具有超低导通电阻1.01mΩ·cm〜2的700V SiC-SIT
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:具有增强的双栅极和部分P埋层的超低比导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
机译:具有自偏置累积层的超低特定导通电阻高压PLDMO的仿真研究
机译:量子级联激光主振荡器功率放大器,输出功率为1.5 W,输出功率为300 K.
机译:移动站采用单端型差分输出放大器实现低输出功率
机译:具有超低导通电阻和低栅极电荷的FET器件
机译:形成具有超低导通电阻和低栅极电荷的FET的方法
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