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安森美半导体; 截止型; IGBT; 性能; 电子产品; 电机控制; 供应商; 晶体管;
机译:安森美半导体推出高性能场截止IGBT
机译:新型超结型场截止IGBT的仿真研究
机译:安森美半导体推出高性能多通道LED驱动器
机译:具有高性能和增强的抗闩锁能力的第四代场截止IGBT
机译:推出超高性能混凝土钢纤维增强件的新能耗机制
机译:使用PIGBT-IDVR的IPFC增强的高性能功率补偿方法
机译:800V Si L-IGBT的板载芯片装配,用于高性能超紧凑型LED驱动器
机译:聚焦可行性研究主要矿坑和推出区的表层土壤,J场有毒燃烧坑区,马里兰州阿伯丁试验场
机译:半导体元件,尤其是非穿通型场截止IGBT或p IGBT,在半导体背面附近但与后电极分开的区域中具有高掺杂层
机译:场截止IGBT中的背面掺杂激活
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