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新型沟槽技术
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ON Semiconductor公司宣称已采用一种崭新的沟槽工艺技术,它比其他沟槽工艺,能使导通电阻平均降低40%。去年,该公司已将基于创新的沟槽技术用于P沟和N沟MOSFET,并且这种器件已应用于负载管理、电路充电、电池保护和手提式、无线产品中的DC-DC
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著录项
来源
《电力电子》
|
2003年第2期
|
|
共1页
作者
刘鹿生;
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作者单位
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原文格式
PDF
正文语种
CHI
中图分类
半导体器件制造工艺及设备;
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