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SEMIKRON; 张斌(译);
轴向寿命; 终端结构;
机译:通过多梳理光学反馈腔增强型吸收光谱与2.3μm二极管激光器高度敏感和精确分析SF6分解组分Co增强型吸收光谱
机译:勘误:CH_3I的超精细分辨3.4微米光谱,具有可广泛调谐的差频产生源和腔增强型细胞:v_1 = 1和(v_2,v6l)=(1,22之间)的局部科里奥利相互作用的案例研究)状态(Physical Review A-Atomic,Molecular,and Optical Physics(2011)83(012505))
机译:CaScAlSiO6:Eu2 +:一种用于白光发光二极管的新型近紫外转换蓝光磷光体
机译:增强型第四代CAL二极管,适用于高效应用
机译:高频ALD增强型纳米结构金属-绝缘体-金属二极管的DC和RF表征。
机译:表面态增强型动态肖特基二极管发生器具有超过1000 W m-2的极高功率密度
机译:多功能聚集 - 增强型延迟荧光发光剂,其用作高性能有机发光二极管的发射器和主机
机译:纳米点增强型白色有机发光二极管
机译:申请<相关申请的描述>使用反馈增强型发光二极管的照明装置通过引用并入本文(2002年5月8日提交的所有美国临时申请No.60 / 379,141,我要求其利益)。美国专利申请No.No.1和本申请的显示装置使用了“反馈增强型发光二极管,于2003年5月8日提交,被称为”反馈增强型发光装置(FEEDBACKENHANCEDLIGHTEMITTINGDEVICE)”,本申请例如,美国专利申请2003年第8号(这些申请的全部内容通过引用并入本文)与“ DISPLAYDEVICESUSSUSINGFEEDBACKENHANCEDLIGHTINGDIODE”相关联。
机译:使用反馈增强型发光二极管的显示装置<相关申请书>长期以来的期望安装)对该文件的坚持美国临时申请2002年5月8日第60 / 379,141号申请(全部)长期以来的愿望是,以美国专利申请号命名的2003年5月8日申请的“反馈增强型发光器件(FEEDBACKENHANCEDLIGHTEMITTINGDEVICE)”,并且“使用反馈增强型发光二极管来照明”。其中,2003年5月8日提交的(LIGHTINGDEVICESUSINGFEEDBACKENHANCEDLIGHTEMITTINGDIODE)(美国专利申请号为(对于这些申请,已安装在本文档中))与引用全部相关。
机译:本反馈增强型发光装置<相关申请的描述>要求(其全部内容通过引用合并于此)2002年5月8日提交的美国临时申请No.60 / 379,141的权益。称为“使用反馈增强型发光二极管的照明装置(LIGHTINGDEVICESUSINGFEEDBACKENHANCEDLIGHTEMITTINGDIODE)”,并且申请号为2003年5月8日,美国专利申请号为,并提交了2003年5月8日申请的“反馈型照明装置”。二极管美国专利申请号(这些申请的全部内容通过引用并入本文)与所使用的指定显示装置相关联和(DISPLAYDEVICESUSINGFEEDBACKENHANCEDLIGHTINGDIODE)。
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