BSIT电导调制区的收缩和偶极区的形成

摘要

对大注入情况下的双极型静电感应晶体管(Bipolar Static Induction Transistor,简称BSIT)的特性作了数值分析.器件尺寸为15000nm×200000nm.分析结果表明,当栅源电压大于0.5V时,在适当的漏源电压下,漏电流就会达到饱和.在大注入情况下,漂移区出现电导调制区(Conductivity-modulation Region,简称CMR),漏源电压很小时,就会导致漏电流的剧增.漏电流的饱和与CMR的收缩有关,漏源电压的增加导致CMR的收缩.在CMR收缩时形成了偶极区,该区域是中性区,其空间大小及其中的电场与漏电压呈线性比例关系.这一关系将导致饱和电流随漏电压成比例地线性变化.