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用于下一代功率模块中的新一代硅片设计

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摘要

受益于快速发展的硅片工艺,IGBT硅片和二极管硅片的性能得到了显著提高并且日趋接近其理论极限.三菱电机通过采用新的硅片技术,已经可以进一步降低功率器件的功率损耗.这里介绍了该新硅片技术中的微细图形工艺和优化杂质分布后新的硅片结构.

著录项

来源
《电力电子技术》 |2008年第10期|75-77|共3页
作者
Katsumi Satoh; Tetsuo Takahashi; Hidenofi Fujii; Manabu Yoshino;
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作者单位

三菱电机功率器件福罔制作所,日本,福岡,819-0192;

三菱电机功率器件福罔制作所,日本,福岡,819-0192;

三菱电机功率器件福罔制作所,日本,福岡,819-0192;

三菱电机功率器件福罔制作所,日本,福岡,819-0192;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类变流器;半导体技术;
关键词
模块; 损耗/硅片设计技术;

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