IGBT的du/dt有源门极控制技术的研究

摘要

为减小绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的开关损耗,正常工作时要求使其快速开通和关断.但在大电流或过流情况下,快速开通和关断会导致dic/dt和duoe/dt过大.而较大的duce/dt会使IGBT误触发导通,使得IGBT控制失效.设计了一种能控制IGBT duoe/dt的新型有源门极控制电路,并进行了分析.给出了仿真和实验结果,验证了新型有源门极控制电路的正确性.