X射线光电子能谱法和深度剖析法检测CdS薄膜的成分

摘要

用X射线光电子能谱法(XPS)对化学水浴沉积法制得的硫化镉薄膜的成分进行表征和深度剖析。用能量为2×103eV的Ar+刻蚀3 800s,90层。对Cd3d、S2p和O1s的90个谱峰的高分辨图谱的分析和对谱峰的曲线拟合,得出以下结论:1除最外层和玻璃基底层以外的其他层中氧元素的质量分数都在6%左右,即CdS占94%左右;2欲获得均匀的CdS薄膜,需一次制备成型;3在形成CdS薄膜的诱发期主要是Cd2+和S2-的结合形成CdS,此时并无CdO和Cd(OH)2的形成;4由于玻璃衬底的亲水性以及氨水的分解产生的OH-形成了生成Cd(OH)2的条件,而CdO的存在主要是因为Cd(OH)2在蒸发时分解产生的;5根据半定量测定,相对于94%的CdS而言,Cd(OH)2的含量为2.7%,CdO的含量为2.2%,吸附氧的含量为1.1%。