电脉冲下ZnSeLD受激发射

摘要

用光助，低压ＭＯＣＶＤ方法获得ｐ－ＺｎＳｅ，ｐ－ＺｎＳＳｅ受主浓度为３×１０１７ｃｍ－３和８×１０１６～２×１０１７ｃｍ－３的条件下，生长制备了ｎ－ＺｎＳＳｅｎ－ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ／ｐ－ＺｎＳｅｐ－ＺｎＳＳｅ的ＺｎＳｅＬＤ结构。在经解理约为１ｍｍ腔长样品上，在７７Ｋ，观测到其蓝绿发光峰值半高宽随脉冲电压增加出现窄化现象，表明有激射产生。