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励旭东; 何少琪;
北京市太阳能研究所;
激光刻槽埋栅太阳电池; 局部背接触结构;
机译:具有局部过度补偿扩散区的背接触式背结Si太阳能电池-埋入式发射极与浮置基座设计的比较
机译:通过接触覆盖率分析电阻和表面复合速度以优化c-Si局部背接触中的电损耗
机译:使用激光烧结接触法对ONO钝化c-Si太阳能电池进行局部背接触
机译:可变激光进给速度的高效c-Si太阳能电池的后钝化和局部背接触的影响
机译:氢封端的Si(111)-(1×1)表面Fe薄膜生长初期的微观结构和局部电子态的研究
机译:通过单晶27Al和14N NMR和DFT计算研究AlN中的局部电子结构
机译:具有石墨烯背接触结构的高效石墨烯/ Si肖特基结太阳能电池的有效化学处理
机译:V3si单晶中结构和超导跃迁的热力学研究。
机译:异质外延单晶的制造方法,异质结太阳电池的制造方法,异质外延单晶的晶体,异质结太阳电池
机译:Mg2Si单晶,Mg2Si单晶衬底,红外光接收元件,以及Mg2Si单晶的制造方法
机译:Mg2Si单晶,Mg2Si单晶衬底,红外线接收元件,以及制造Mg2Si单晶的方法
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