自旋对SIC半导体二维磁极化子基态能量的影响

摘要

应用线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对SIC半导体性质的影响。基态能量E0+(对应于电子自旋量子数为正)和E0-(对应于电子自旋量子数为负)都随磁场增加而线性减少:在0 T时,E0+和E0-都为-76.24 MEV;在25 T时,E0+和E0-分别为-68.50 MEV和-71.39 MEV。自旋能量与E0+和E0-之比P0+和P0-都随磁场增加而快速增加:在0 T时,P0+和P0-都为0;在20 T时,P0+为0.627;在25 T时,P0-为0.453。自旋能量与LANDAU基态能量之比P2始终为0.23。自旋能量与自能和声子之间相互作用能量之比P1和P3都随磁场增加而线性增加:在0 T时,P1和P3都为0;在5 T时,P3为0.628;在40 T时,P1为0.306。这些数据和结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管、自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等。