8通道-1.6nm Si纳米线阵列波导光栅的设计与制作

摘要

设计了基于绝缘层上硅（SOI）材料的8通道Si纳米线阵列波导光栅（AWG）,器件的通道间隔为1.6nm,面积为420μm×130μm。利用传输函数法模拟了器件传输谱,结果表明,器件的通道间隔为1.6nm,通道间串扰为17dB。给出了结合电子束光刻（EBL）和感应耦合等离子（ICP）刻蚀技术制备器件的详细流程。光谱测试结果分析表明,器件通道间隔为1.3～1.6nm,通道串扰为3dB,中心通道损耗为11.6dB。