硅薄膜太阳电池的电致发光与I-V特性研究

摘要

研究了薄膜太阳电池电致发光特性,并运用AAA极太阳模拟器测试其I-V特性。采用高灵敏度光谱仪检测薄膜电池电致发光的光谱波长在860-1200nm之间,讨论其对应禁带宽度为1.12eV;运用制冷的CCD相机探测电致发光的EL图像.分析不同的薄膜电池在相同偏压80V下电致发光强度与其电性能的内在关系;研究不同偏压35V55V80V下,电压、电流与薄膜电池的EL发光强度正相关性;结果分析表明串联电阻太高对电压具有分压作用导致发光光谱强度减弱,并联电阻太低具有分流作用电致发光强度减弱.通过电致发光检测和电性能测试相结合可为硅薄膜电池的工艺改进提供快速、准确的判断依据。