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中红外激光器; GaSb; 半导体; 光泵浦; 有毒气体检测; 自由空间光通信; 天然气泄漏; 碟片;
机译:在GaAs上生长的GaSb 2- m光泵浦半导体激光器(OPSL)产生的340 W峰值功率
机译:使用基于GaSb的激光器以λ= 2.5μm的发射光泵浦Ⅳ-Ⅵ半导体多量子阱材料
机译:光泵浦垂直腔半导体激光器中泵浦光偏振的记忆效应
机译:高性能光泵浦GaSb基半导体圆盘激光器,波长范围为2.Xμm
机译:利用级联泵浦方案的基于GaSb的中红外I型量子阱二极管激光器
机译:457 nm半导体泵浦固态激光器对聚合复合树脂的影响:显微硬度交联密度和聚合收缩率
机译:来自光泵浦的CH3OH / d,CH3F和HCOOH激光器的非常短的远红外脉冲,它使用等位转换CO2激光器作为泵浦源
机译:记录基于2微米Gasb的光泵浦半导体激光器生长晶格的脉冲功率演示 - 在alas / Gaas布拉格反射镜和基板上不匹配(后印刷)
机译:表面发射半导体激光器,例如用于测量物体的速度和距离的设备中,具有泵浦激光器,用于半导体激光器的光泵浦,以将泵浦脉冲中的泵浦辐射辐射到芯片中
机译:激光器装置具有半导体激光器,该半导体激光器具有单片集成的有源区域,其中两个区域发射不同波长的泵浦辐射,用于泵浦光泵浦激光器的有源介质的不同吸收带
机译:光泵浦半导体激光器装置包括:垂直发射激光器,其具有产生辐射的发射器层;以及泵浦光束源,用于光泵浦激光器
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