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微透镜列阵浮雕深度控制的新方法

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摘要

在对材料光刻阈值特性进行研究的基础上,提出了一种可有效克服材料非线性特性影响,提高微透镜浮雕深度的新方法--基底曝光法.在曝光之前,对抗蚀剂整体施加一定量的曝光,提升抗蚀剂刻蚀基面.该方法可制作出面形均方根误差小于3%的微透镜阵列.

著录项

来源
《光电工程》 |2003年第4期|1-3|共3页
作者
董小春; 杜春雷; 潘丽; 王永茹; 刘强;
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作者单位

中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,四川,成都,610209;

中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,四川,成都,610209;

中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,四川,成都,610209;

中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,四川,成都,610209;

中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,四川,成都,610209;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类集成光学器件;
关键词
微透镜; 浮雕深度; 光刻; 曝光阈值; 微光学元件;

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