用改进曝光模型模拟厚胶显影轮廓

摘要

考虑厚胶曝光过程中非线性因素的影响及其显影特点,用一套随抗蚀剂厚度发生变化的曝光参数改进的Dill曝光模型,仿真厚层抗蚀剂光刻过程,并比较新曝光模型与原有Dill模型模拟的结果差异.模拟显示,用新曝光模型获得的厚抗蚀剂显影轮廓与实验结果吻合较好;并对厚胶光刻成像机理进行了讨论.通过分析正性厚层抗蚀剂AZ4562的显影轮廓,给出其显影线宽及边墙陡度随显影时间的变化规律,提出应以获得最大边墙陡度作为优化显影时间的思想.对厚度5μm和15μm的抗蚀剂,经计算,可获得良好的抗蚀剂浮雕轮廓的优化显影时间分别为98s和208s.