二氧化硅包覆对纳米多孔金增强荧光特性的调制

摘要

cqvip:为了减弱金属基底对表面增强荧光的淬灭效应,设计了增强效果更好的荧光增强基底。采用化学生长二氧化硅的方法对纳米多孔金(NPG)表面进行修饰,避免荧光分子和NPG表面直接接触引起的淬灭效应,在SiO2@NPG表面分别组装上罗丹明6G(R6G)和辐射中心波长为700nm的量子点(QD700)。通过探测分析荧光光谱,可以得出:二氧化硅包覆的基底可以使表面增强荧光得到显著的增强,并且二氧化硅厚度对荧光强度有调节作用;在基底增强量子点荧光信号的同时,量子点和NPG之间还出现非辐射的能量转移现象,二氧化硅的厚度对能量转移同样有调节作用,厚度约为5nm时能量转移现象最显著。本实验为基于荧光能量转移的检测以及设计更好的荧光增强基底提供了参考。