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Ge-Sb-Te-O相变薄膜的光学性质研究

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摘要

研究了单层Ge-Sb-Te-O射频溅射薄膜在400nm～800nm区域的光学常数(N,K)和反射、透射光谱,发现适当的氧掺杂能增加退火前后反射率对比度,因此,可以通过氧掺杂改良Ge-Sb-Te相变材料的光存储性能.

著录项

来源
《光学仪器》 |2001年第5期|23-26|共4页
作者
顾四朋; 侯立松; 曾贤成; 赵启涛;
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作者单位

中国科学院上海光学精密机械研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;
关键词
Ge-Sb-Te-O; 相变薄膜; 氧掺杂; 反射率对比度; 光存储;

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