由SPCVD法制备的低氢氮氧化硅光纤

摘要

本文对一种新型光纤－－掺氮石英光纤首批试样的性能进行了研究，业已由减压等离子体化学气相沉积法合成芯部含氮量约３％的光纤预制棒，并将其拉成光纤，去除气体混合物中含氢组分，从而得到低氢氮氧化硅，除氢氧基（－ＯＨ）和氮氢基（－ＮＨ）吸收峰外，光纤中的光损耗在１．３－１．６μｍ范围内为几ｄＢ／ｋｍ，并且，显然可以优化制备工艺以进一步降低损耗。