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林景全;
无;
日本; 极紫外光刻; 光刻; 半导体器件;
机译:光子前沿:极紫外光刻技术:极紫外光刻技术难以缩小芯片特征
机译:激光等离子源,用于极紫外(EUV)光刻激光等离子源,用于极紫外(EUV)光刻
机译:极紫外光刻显微镜对极紫外掩模的穿透膜成像
机译:日本目前的极紫外光刻技术
机译:强烈的毛细管放电等离子体极紫外光源,用于极紫外光刻和其他极紫外成像应用。
机译:迈向极紫外光刻的高精度反射计
机译:ZEp520a和mr-posEBR抗蚀剂的光刻性能 电子束和极紫外光刻
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。
机译:用于极紫外光刻的反射装置,应用于其的极紫外光刻掩模,投影光学系统和光刻设备
机译:用于极紫外或电子束光刻的含金属膜形成组合物,用于极紫外或电子束光刻的含金属膜和图案形成方法
机译:用于极紫外光或电子束光刻的含金属膜形成组合物,用于极紫外光或电子束光刻的含金属膜形成和图案形成方法
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