产额大于1.5×1010n/s中子管引出/加速系统的物理设计

摘要

根据高产额(>1.5×1010n/s)中子管对引出/加速系统的要求,完成了在180kV引出/加速电压下,加速离子束流1.1mA的新型屏蔽式引出/加速系统的物理设计,与普通中子管比较,加速电压增加50%,束流增加一个数量级,中子产额增加一个数量级,实现了系统的结构优化.经长期实践考验证明,系统的物理设计合理,为更高产额中子管的研制奠定了基础.