首页> 中文期刊> 《核科学与工程》 >质子和γ射线辐照对Bi—系超导体零电阻温度的影响

质子和γ射线辐照对Bi—系超导体零电阻温度的影响

         

摘要

20MeV质子辐照固态反应法和硝酸盐溶胶凝胶法制备的Bi-系超导体,伴随有核激发的γ及β射线辐照。在线测量的结果表明超导样品的零电阻温度T是增加的,但是随着时间的推移T值逐渐下降。我们测量了超导体的T和γ射线随时间的变化情况。发现T在伴随γ射线辐照下首先增加,而后逐渐下降。这表明γ射线对超导体的T存在两方面的影响,一是激发样品中的载流子,激发态的载流子构成载流子对,其能隙较宽,提高了:二是产生辐照缺陷,破坏超导体的微观结构,降低T质子辐照在超导样品中产生很多缺陷,降低T。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号