基于膜法钴电积工艺中阳离子交换膜改性

摘要

基于表面涂覆改性的方法,使用吡咯为改性单体对阳离子交换膜进行改性,通过对改性前后的膜进行扫描电子显微镜（SEM）、傅立叶红外光谱仪（FTIR）及氯离子泄露率的测定表征膜的改性效果。结果表明,在吡咯与氯化铁的浓度比4∶1、掺杂剂为1 mol/L盐酸、单体反应时间1 h、氧化聚合时间4 h的条件下,改性效果最佳,氯离子泄漏率降低最大,降低了8.4%。