大晶畴石墨烯透明导电薄膜的制备及其光电性能研究

摘要

以氧化铜箔为衬底,并在氮气条件下加热退火来钝化铜箔表面的有利形核位,利用低压化学气相沉积法制备大晶畴、高质量的石墨烯薄膜,随后采用转移/叠加技术制备出了不同层数的石墨烯透明导电薄膜,研究层数对其光电学性能的影响。结果表明,石墨烯晶畴的尺寸达到了650μm,平均生长速率高达43.3μm/min;在550nm处,单层石墨烯透明导电薄膜的透光率为94.3%,方阻为678Ω/□;随着层数的增加,石墨烯透明导电薄膜的透光率和方阻均线性递减,当层数增大到5时,其透光率降低至80.1%,方阻则降至约287Ω/□;这种变化规律与石墨烯特殊的价键结构有关。