ZnO纳米线阵列的生长机制

摘要

通过化学气相沉积方法在Si衬底上制备了规则排列的ZnO纳米线阵列.利用扫描电子显微镜观察了合成的氧化锌纳米结构的形貌,表明当In在前驱物中引入超过0.3 g时,在Si衬底上合成的纳米结构都是纳米线阵列;高分辨透射电子显微镜图像、X射线图谱和X射线能谱均表明合成的ZnO纳米线阵列具有纤锌矿结构,择优沿(001)方向生长.提出了在Si衬底上生长ZnO纳米线阵列的机制.