Pt／n—n＋-Si电极上化学沉积铁氰化镍薄膜及其应用

摘要

在表面外延生长9μm的n型层的磷重掺杂的硅基底n—n＋一Si）结构上沉积约40nm铂（Pt），经氩气保护673K热处理30min作为半导体电极（Pt／n—n＋-Si）。将半导体电极和铁氰化钾、硫酸镍以及硝酸钠的溶液接触，沉积出稳定的铁氰化镍（NiHCF）薄膜。复合电极与Pt电极组成光电化学电池，在零偏电压条件下，通过测量该电池的光电流可检测过氧化氢。通过循环伏安和X-光电子能谱对NiHCF薄膜进行了分析与表征。