632.8 nm连续激光辐照可见光CMOS相机实验研究

盛良; 张震; 张检民; 徐作冬

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632.8 nm连续激光辐照可见光CMOS相机实验研究

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开展了632.8 nm连续激光辐照可见光JHSM36Bf CMOS相机实验研究,获得了632.8 nm连续激光使CMOS相机单像元饱和及全屏饱和的功率密度阈值.实验证实了CMOS比CCD抗激光干扰能力更强;连续激光比脉冲激光更容易实现对CMOS相机的干扰;分析了CMOS串扰现象与CCD的不同.用饱和面积法、相关度法和均方差法3种激光干扰图像质量评价方法,定量分析了CMOS成像受激光干扰的程度.

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来源
《现代应用物理》 |2015年第3期|181-185|共5页
作者
盛良; 张震; 张检民; 徐作冬;
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作者单位

四川大学物理科学与技术学院,成都610064;

西北核技术研究所,西安710024;

激光与物质相互作用国家重点实验室,西安710024;

西北核技术研究所,西安710024;

激光与物质相互作用国家重点实验室,西安710024;

西北核技术研究所,西安710024;

激光与物质相互作用国家重点实验室,西安710024;

西北核技术研究所,西安710024;

激光与物质相互作用国家重点实验室,西安710024;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类激光的应用;
关键词
CMOS; 激光辐照; 功率密度阈值; 激光干扰;

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