同步辐射软X射线曝光工艺研究

摘要

本文介绍利用北京正负电子对撞机同步辐射软X射线光刻装置进行亚微米X射线光刻技术和深结构光刻的实验研究。通过对曝光剂量、掩模、抗蚀剂等工艺实验,初步得到适合于目前条件的较好的同步辐射X射线光刻工艺条件,并光刻出0.3μm的亚微米图形和抗蚀剂厚度为36μm深光刻图形。