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李忠; 魏芹芹; 杨利; 薛成山;
山东师范大学物理与电子学院,济南,250014;
氮化镓; 薄膜; 半导体;
机译:具有RF溅射法的氮化镓压电薄膜的天文台和SC加入具有RF溅射法,HF和Mo金属对准层的使用氮化镓薄膜改善了
机译:优化高性能氮化铟镓/氮化镓基薄膜垂直发光二极管的n型触点设计和芯片尺寸
机译:利用由液体源前驱物形成的氮化镓种子层在硅衬底上生长的外延氮化镓薄膜
机译:氮化镓薄膜和氮化镓纳米带的合成氮含量氮化成砷化镓
机译:原子清洁的氮化镓(0001)和氮化铝(0001)薄膜的制备,表征以及通过碘汽相生长沉积厚的氮化镓薄膜。
机译:复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
机译:基于铝和氮化镓在硅碳化硅衬底上生长铝和氮化镓氮化镓的复合材料的介电和热电性能
机译:成长氮化铝(alN)衬底上氮化铝镓((al)GaN)薄膜缺陷的控制。
机译:氮化镓薄膜模板基板,氮化镓薄膜模板基板和氮化镓薄膜单晶的制造方法
机译:用于形成原子层沉积方法的含氮化镓薄膜的起始材料,以及制备含氮化镓薄膜的方法
机译:氮化镓薄膜和氮化镓薄膜的制造方法
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