溅射法制备高取向Pt薄膜的工艺研究

摘要

采用射频磁控溅射工艺在SiO2/Si衬底上成功制备了适用于PZT铁电薄膜底电极的180 nm厚、沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜.厚约50 nm的Ti膜被用作过渡层,以增强Pt薄膜与衬底之间的黏着性.实验表明,在Pt薄膜的制备过程中,较高的衬底温度有利于薄膜晶化,促使Pt薄膜沿(111)晶向择优取向生长.而在薄膜沉积后加入适当的热处理工艺,能有效地提高Pt薄膜的择优取向性,同样可以得到沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜.原子力显微镜分析表明,制得的薄膜结构相对致密,结晶状况良好,晶粒尺寸约为50 nm.