首页> 中文期刊> 《金属加工:冷加工》 >面向14纳米特征尺寸集成电路后段制程的化学机械抛光

面向14纳米特征尺寸集成电路后段制程的化学机械抛光

         

摘要

随着超大规模集成电路的发展,特征尺寸由目前的22纳米(nm)逐渐减小至14nm。为了克服由此引发的的一系列问题,铜互连结构发生了巨大变化,包括使用钌替代钽/氮化钽作为阻挡层,

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号