封装热效应及粘结层对微芯片应力和应变的影响

摘要

针对不同的基板和粘结层，运用 COMSOL Multiphysics 软件分析了由封装引起的热失配对 MEMS 芯片的内部应力和应变的影响及其影响规律。分析不同基板对 SiC 芯片的应力和应变的影响，通过有限元计算分析得知，当基板的热膨胀系数跟芯片的热膨胀系数越接近，封装对芯片导致的应力､应变和位移的影响越小。研究表明：粘结层的厚度对 SiC芯片的应力等参数同样存在一定的影响，当粘结层的厚度增加时能够降低 SiC 芯片由封装引起的热应力，同时也会降低SiC 芯片的第一主应变。基板厚度增加会增加 SiC 芯片由封装引起的热应力，温度场由高到低会增加 SiC 芯片由封装引起的热应力。