二维圆周平动法ADP单晶生长流动与传质数值模拟

摘要

本工作提出一种名为"二维圆周平动法"的新型晶体生长方法.采用有限容积法和动网格技术,对转晶法及二维圆周平动法的ADP单晶生长过程进行数值模拟.比较了两种生长方法下晶体表面时均过饱和度分布及均方差,分析了不同特征转速ω、不同圆周轨道半径R、不同晶体尺寸A对晶面时均过饱和度及均方差的影响.结果表明:与转晶法相比,二维圆周平动法晶面过饱和度及其分布均匀性得到提高.随着特征转速ω或圆周轨道半径R的增加,晶面时均过饱和度增加,均匀性变好,有利于晶面形貌的稳定.然而,随着尺寸A的增大,晶面时均过饱和度值降低,其均匀性变差.因而,随着晶体的长大,应该适当增加特征转速ω或圆周轨道半径R.