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高能辐射室温探测器用TlBr单晶及其器件

     

摘要

TlBr单晶材料具有探测器高的阻止本领、宽禁带、高电阻率、高密度、能量吸收深度较小等特点,是目前理想的高能X和7射线探测用半导体材料之一.介绍了TlBr单晶材料、TlBr探测器的基本原理以及T1Br单晶及器件的研究现状,概括了TlBr原料提纯和晶体生长的主要方法及其特点,同时总结归纳出TlBr晶体生长和器件制备方面所存在的高质量材料制备问题、电极接触问题、器件结构设计问题和载流子收集问题,以及将来TlBr探测器领域的热点研究方向.

著录项

  • 来源
    《材料导报》|2008年第8期|1-4,13|共5页
  • 作者单位

    华中科技大学电子科学技术系教育部敏感陶瓷工程研究中心,武汉430074;

    华中科技大学电子科学技术系教育部敏感陶瓷工程研究中心,武汉430074;

    华中科技大学电子科学技术系教育部敏感陶瓷工程研究中心,武汉430074;

    华中科技大学电子科学技术系教育部敏感陶瓷工程研究中心,武汉430074;

    华中科技大学电子科学技术系教育部敏感陶瓷工程研究中心,武汉430074;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 化合物半导体;
  • 关键词

    TlBr; 晶体生长; 高能辐射; 室温探测器;

  • 入库时间 2022-08-17 16:23:18

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