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周东祥; 余石金; 胡云香; 龚树萍; 郑志平;
华中科技大学电子科学技术系教育部敏感陶瓷工程研究中心,武汉430074;
TlBr; 晶体生长; 高能辐射; 室温探测器;
机译:室温辐射探测器用溴化al单晶的制备与表征
机译:辐射探测器用TlBr晶体的退火和性能研究
机译:氯化对TlBr谱带边缘的影响,以改善室温辐射探测器
机译:室温辐射探测器应用中TlBr晶体的纯化和制备
机译:室温辐射探测器中溴化((TlBr)的表征。
机译:用于室温高性能近红外光电探测器的单晶InGaAs纳米线
机译:使用垂直Bridgman-stockbarger方法生长的用于半导体辐射探测器应用的TlBr单晶的特征
机译:先进的辐射探测器开发:先进的半导体探测器开发:开发室温,伽马射线探测器,使用砷化镓开发电极探测器。年度进展报告,1994年9月30日至1995年9月29日
机译:辐射探测器用磷板,使用辐射探测器的辐射器和辐射探测设备
机译:用于检测高能辐射的辐射探测器,辐射探测装置和辐射照相装置
机译:在包括这种单晶半导体本体pcb的辐射探测器中制造半导体器件中的单晶半导体本体的方法
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