孔式磁流变阻尼器的磁路改进设计与仿真分析

摘要

对传统的孔式磁流变阻尼器的磁路进行了改进设计,使得作用磁场全通道有效,并用ANSYS建立了磁路仿真模型,仿真研究了不同结构下磁路的路径和磁感应强度及不同参数下阻尼孔附近的磁通密度.通过优化分析得出最好的结构参数,使得全通道的磁感应强度都达到要求的0.5T.结果表明,所设计的磁流变阻尼器的磁场利用率比一般的磁流变阻尼器高达1倍.