EMI滤波器磁场耦合参数提取方法比较研究

摘要

以LC滤波器为研究对象,对4种磁场耦合参数提取方法进行了比较研究.对仅考虑器件高频特性的滤波器插入损耗性能进行分析,证明了磁场耦合效应对插入损耗性能的影响.阐述了4种磁场耦合参数提取方法的原理和实现过程.采用以上4种方法提取案例中的耦合参数,分别建立含有磁场耦合效应的滤波器模型.以插入损耗作为评价指标,使用整体误差对数频率法对插入损耗仿真结果的误差进行量化分析,进而对比了4种提取方法的准确性.对各种提取方法的误差来源和适用范围进行了讨论,为近场耦合参数提取方法的选择提供依据.