利用磁致频移提高磁阻抗效应

摘要

用4294A型阻抗分析仪研究Fe基纳米晶薄带(FNR)两种驱动模式(LC模式和L模式)的磁阻抗,发现LC模式阻抗频谱在外磁场作用下有显著的频移现象.利用这种频移现象,在选择LC模式的情况下,当驱动电流频率接近0磁场阻抗频谱峰频率时,磁阻抗比值达到24.28,比L模式的0.28大得多;磁敏线性区间为0～1 669.5 A/m,比L模式的0～70 A/m扩大20多倍.该结果在实际应用中有利于提高FNR磁敏传感器的灵敏度和扩大磁敏线性区间;用原子力显微镜(AFM)观察FNR表面和经氢氟酸溶液腐蚀的FNR结构表明,FNR内部存在10～30 nm的晶粒被非晶成分胶联的结构,这是FNR在LC驱动模式下具有显著磁致频移现象的内在因素.