偏置电场对THz辐射强度影响的蒙特卡罗模拟

摘要

采用系综蒙特卡罗方法对光生载流子在偏置电场作用下的输运过程进行模拟,从微观角度研究偏置电场对连续太赫兹辐射强度的影响.模拟结果表明,由于空间电荷电场屏蔽效应以及散射等因素的影响,太赫兹辐射强度先是随偏置电场的增强而上升,当达到峰值后逐渐趋于饱和.虽然降低温度使粒子发生散射的几率降低,但同时也减小粒子的初始能量,故低偏置电场时低温下连续太赫兹辐射功率比常温下小,而当偏置电场超过某一阈值时,降低温度能够提高连续太赫兹辐射功率.