双微分全控器件门驱动电路的设计与研究

摘要

新型的电力电子器件MOSFET和IGBT克服了传统的电力电子器件如SCR只能开通不能关断的缺陷.但关断速度依然限制开关速度的提高.本文给出了一个用于驱动全控开关器件的门驱动电路.整个电路系统主要由双微分驱动电路、DC-DC电源变换电路、光耦合隔离电路等三部分组成.它只使用一个12V直流电源能得到稳定可靠的双微分驱动效果,能明显地加速开关器件关断过程中门极存储电荷的释放,有利于提高全控器件的开关速度、减少开关损耗.