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宋仁国; 于兴君;
东北工业大学物理系;
超晶格; 亚带结构; 有效带隙;
机译:包含nipiδ掺杂超晶格的多个量子阱结构中电吸收的增强
机译:用密度泛函理论研究GaP / Si(111),GaP / Si(110)和GaP / Si(113)界面和超晶格的原子和电子结构
机译:X-射线散射研究在相邻Si(111)衬底上生长的Si-Si1-xGex超晶格中的界面结构
机译:增强含有Nipi Delta掺杂超晶格的MQW结构中的电吸收
机译:高效中带太阳能电池II型亚单层ZnCdTe / ZnCdSe量子点超晶格的生长和表征。
机译:6H-SiC(0001)上Si掺杂超晶格结构的光电性能
机译:Si1-xGex / Si超晶格中的子带间吸收,用于长波长红外探测器
机译:si(1-x)Ge中的子带间吸收(用于长波长红外探测器的x / si超晶格)
机译:选择性NIPI掺杂超晶格接触和其他由阴影掩膜制造形成的半导体器件结构
机译:半导体器件,包括超晶格SI / SI FIN结构
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